Luminescence bølgelengden av halvlederlaseren er 0 med temperaturendring. 2-0. 3 nm / °C, vil spektrumbredden øke, påvirke fargeglansen. I tillegg, når den fremre strømmen strømmer gjennom p-n-krysset, og gjør koblingsområdet produserer et febrilt tap, temperatur nær romtemperaturen, temperaturstigning per 1 ° C, vil den lysende intensiteten av halvlederlaser tilsvarende redusert ca 1%, innkapslingskjøling; Opprettholde farge renhet og luminescence intensitet er svært viktig. Tidligere ble kjørestrømmen til de fleste halvlederlasere redusert ved å redusere koblingstemperaturen. Kjørestrømmen til de fleste halvlederlasere var begrenset til ca 20mA. Imidlertid vil den optiske utgangen av halvlederlasere øke med økningen av strøm. Kjørestrømmen til mange effekt halvleder lasere kan nå nivåer av 70mA, 100mA og til og med 1A. Emballasjestrukturen må forbedres. For eksempel er det store området chip inversjon struktur vedtatt, sølv lim med god varmeledningsevne er valgt, overflaten av metallstøtten er økt, og silisium bærer av lodde bump er direkte installert i kjøleribben metoden. I tillegg er den termiske designen og varmeledningsevnen til PCB-kretskortet også svært viktig i applikasjonsdesignen.
Halvlederlasere kjører strøm