Beskrivelse
Høyeffekt 200W 808nm halvlederdiodelaserbrikker for materialbehandling
Funksjoner:
- Høy kraft, høy pålitelighet og stabilitet
- QCW arbeidsmodus, TE polarisasjonsmodus
- Effektiv emballasje varmeavledningsteknologi
- Long lifetime>10 000 timer
Søknad:
- Materialbehandling,
- Oppvarming eller belysning
- Pumpekilder for fiber- og faststofflasere-
- Bruk i utskriftsteknologi
Høy effekt 200W 808nm Single Bar Diode Laser Chip med høy utgangseffekt, QCW arbeidsmodus. Brukes i mange forskjellige felt, som industri, medisinsk, materialbehandling, oppvarming og belysning osv. Våre forskningsstaber forbedrer og innoverer stadig prosessteknologien i produksjonsprosessen, basert på den faglige kunnskapen og erfaringen samlet på lang-sikt.
Datablad
Varenr:LC808SB200
Varenavn:Halvleder High Power Diode Laser Chip
| Operasjon | |
| Senter bølgelengde | 808nm |
| Utgangseffekt | 200W |
| Driftsmodus | QCW |
| Polarisering | TE |
| Skråningseffektivitet | 1.2W/A |
| Emitterbredde | 120um |
| Hulromslengde | 1500um |
| Tykkelse av hulrom | 120um |
| Kavitetsbredde | 160um |
| Elektrisk | |
| Terskelstrøm | 25A |
| Driftsstrøm | 190A |
| Driftsspenning | 1.9V |
| Termisk | |
| Driftstemperatur | 15-35 grader |
| Bølgelengdetemperaturkoeffisient | 0,28nm/grad |
Populære tags: halvleder høy effekt diode laser chip leverandører, produsenter Kina, fabrikk, engros, laget i Kina